RD3P050SNTL1 دیتاشیت

RD3P050SNTL1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RD3P050SNTL1
حجم فایل 67.133 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت RD3P050SNTL1-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RD3P050SNTL1
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 15W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 14nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 530pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@1mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 30pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 135mΩ@10V,5A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه